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模拟用InGaAs PD 插拔式系列探测组件

特点：

  • 低电容，≤1pF

  • 2GHz频率响应

  • 低暗电流，高回损；
  • 高响应度：≥0.85A/W ＠1310nm   
                        ≥0.90A/W     ＠1550nm

  • 激光焊接，同轴封装

  • 可靠性高，寿命长

  • 符合ROHS规范

应用：

  • CATV 正向/回传通道
  • QAM 64/256系统
  • PON
  • FTTH网络
  • EDFA监视器

极限额定值（Tc=25℃）：

参数 符号 最小值 最大值 单位
工作温度范围 Top -40 +85 ℃
储存温度范围 Tstg -40 +85 ℃
焊接温度Tmax= 10s Ts - 260 ℃
正向电流 Ifd - 10 mA
反向电压 Vrd - 25 V
饱和功率 Psat - 10 mW

光电参数(Tc=25℃, VR=5V) ：

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件
探测面积 DA 40 75 80 um  
探测波长范围 λ 1100 - 1650 nm  
响应度 R 0.85 - - A/W Vrd=5V,λ=1310nm
0.90 - - A/W Vrd =5V,λ=1550nm
回波损耗 RL - - -55 dB  
载噪比 C/N 50 - - dB  
二阶互调失真 IMD2* - - 70 dB  
三阶交调失真 IMD3* - - 80 dB  
暗电流 Id - 0.3 2 nA Vrd =5V
结电容 C - 0.7 1.0 pF Vrd =5V
带宽 BW 2 - - GHz Vrd =5V

机械尺寸和管位排列：

订购信息：